تولید اولین پردازنده ۳ نانومتری اگزینوس شروع شد؛ قلب تپنده گلکسی S25؟

سامسونگ الکترونیکس اعلام کرد که تولید انبوه اولین سیستم-روی-چیپ (SoC) مبتنی‌بر ترانزیستور Gate-All-Around (GAA) و لیتوگرافی سه نانومتری را شروع کرده است.

اولین تراشه‌ی موبایلی سه نانومتری سامسونگ واحدهای CPU و GPU و چندین بلوک IP از شرکت سیناپس دارد. سامسونگ از اواخر سال ۲۰۲۲ تراشه‌های سه نانومتری تولید می‌کرد؛ اما این تراشه‌ها نسبتاً ساده بودند و برای استخراج ارزهای دیجیتال به‌کار گرفته می‌شدند.

به‌احتمال زیاد پردازنده‌ی سه نانومتری جدید سامسونگ درنهایت وارد گلکسی واچ ۷ یا گلکسی S25 می‌شود. ظاهراً مهندسان سامسونگ از سیستم Fusion Compiler سیناپس برای دستیابی به عملکرد بهتر و مصرف انرژی کمتر و بهینه‌سازی ناحیه‌ی تراشه (PPA) استفاده کرده‌اند.

هنوز نمی‌دانیم که تراشه‌ی مذکور از فرایند نسل اول سه نانومتری (SF3E) استفاده می‌کند یا نسل دوم (SF3)! به‌احتمال زیاد از فرایند نسل دوم استفاده شده است؛ زیرا SF3 برای تراشه‌های پیچیده‌تری مانند SoC گوشی‌های هوشمند مناسب‌تر است.

در گذشته، تراشه‌های ساخت سامسونگ فاندری با مشکلاتی مانند مصرف انرژی زیاد و کاهش عملکرد زیر فشار مداوم مواجه بودند. انتظار می‌رود که طراحی GAA این شرکت مشکل را حل کند.